Abstract

半導体デバイスの特徴画定部内に金属層を堆積させる方法が提供される。一実装形態では、金属層を堆積させて半導体デバイスを形成する方法が提供される。この方法は、周期的金属堆積プロセスを実行して基板上に金属層を堆積させるステップと、基板上に配置された金属層をアニールするステップとを含む。周期的金属堆積プロセスは、堆積前駆体混合ガスに基板を露出させて基板上に金属層の一部分を堆積させるステップと、金属層のその部分をプラズマ処理プロセスまたは水素アニールプロセスに露出させるステップと、所定の厚さの金属層が実現されるまで、堆積前駆体混合ガスに基板を露出させるステップおよび金属層のその部分をプラズマ処理プロセスまたは水素アニールプロセスに露出させるステップを繰り返すステップとを含む。

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